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ESD测试符合IEC 61000-4-2
IEC 61000-4-2是抗扰度ESD测试的标准。它在称为ESD的手持发生器的电压电平下施加定义的电流波形。
它使用由高压电源提供的电容器,其充电电压通过接触点通过串联阻抗放电到地。使用两种放电方法。它们是接触放电和空气放电。
微电子电路面临的风险比以往任何时候都大,罪魁祸首是静电放电(ESD)。这些祸害是隐秘的,特别*攻击敏感的IC。单次静电放电事件就可以将PCB送入地狱。抗静电放电设计只要错失一步就可能意味着延误上市时间、影响开发进度,以及激怒客户。在某些高压力情况下,甚至意味着你的饭碗不保。
ESD静电放电正式试验时,放电以1次/秒的速率进行(也有规定为1次/5秒的产品),以便让试品来得及作出响应.通常对每一个选**上放电20次(其中10次是正的,还有10次是负的).
静电放电模 式
目前工业界大致定义了以下三种常见静电放电模式:
1.HBM人体模式:
人体模式是ESD模型中建立早和主要的模型, 在IC制造和使用过程中, 人体和IC接触的机会多, 由人体静电损伤造成IC失效的比例也, 而且在实际应用中, 工业界也大多采用HBM模式来标注IC的静电等级. 人体模式指人体在地上走动、摩擦或者其他因素在人体上已积累了静电, 当此人直接接触IC时, 人体上的静电便会经IC管脚进入IC内, 再由IC 放电到地. 此放电过程会在短至几百纳秒的时间内产生数安培的瞬间放电电流, 此电流会把IC内部元件烧毁.
2.机器放电模式:
机器本身积累了静电, 当此机器接触IC时, 该静电便经过IC 管脚放电. 金属制造的机器放电等效电阻较小, 因此其放电过程更短, 在几纳秒到几十纳秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生, 因此对元件的破坏力更大.
3.CDM充电元器件模式:
因摩擦或接触到其他物体的静电电荷, IC内部积累了静电, 但在静电积累的过程中IC没有受伤. 此带有静电的IC在处理过程中, 当其pin直接接地或间接接地时, 静电便会经过pin从IC的内部释放, 从而造成放电现象. 此种模式的放电时间更短, 放电上升时间小于1nS, 尖峰电流15安培, 持续时间小于10纳秒。
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