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ESD测试-接触放电
在接触放电方法中,应力可以直接施加到EUT或邻近EUT的耦合平面。在每个测试脉冲之前,电容器充电到所需的电平,但其电压通过真空继电器保持在发生器的探头上。
将探针应用于EUT或耦合平面上的适当选择的点。然后触发发电机,使继电器触点闭合,电容器电压通过探头施加到EUT。
当电压通过发生器,EUT和接地平面的组合串联阻抗放电时,这会产生电流脉冲。在每个位置以适当的极性和水平重复该动作所需的次数。
设计中用于避免ESD问题的一些步骤是:
a)选择对短暂瞬变无响应的电路配置。
b)布置PCB图案以小化关键节点处的感应电压。
c)防止不可避免的放电瞬变耦合到电路和电缆中。
d)尽可能设计外壳以防止发生排放。
静电放电模 式
目前工业界大致定义了以下三种常见静电放电模式:
1.HBM人体模式:
人体模式是ESD模型中建立早和主要的模型, 在IC制造和使用过程中, 人体和IC接触的机会多, 由人体静电损伤造成IC失效的比例也, 而且在实际应用中, 工业界也大多采用HBM模式来标注IC的静电等级. 人体模式指人体在地上走动、摩擦或者其他因素在人体上已积累了静电, 当此人直接接触IC时, 人体上的静电便会经IC管脚进入IC内, 再由IC 放电到地. 此放电过程会在短至几百纳秒的时间内产生数安培的瞬间放电电流, 此电流会把IC内部元件烧毁.
2.机器放电模式:
机器本身积累了静电, 当此机器接触IC时, 该静电便经过IC 管脚放电. 金属制造的机器放电等效电阻较小, 因此其放电过程更短, 在几纳秒到几十纳秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生, 因此对元件的破坏力更大.
3.CDM充电元器件模式:
因摩擦或接触到其他物体的静电电荷, IC内部积累了静电, 但在静电积累的过程中IC没有受伤. 此带有静电的IC在处理过程中, 当其pin直接接地或间接接地时, 静电便会经过pin从IC的内部释放, 从而造成放电现象. 此种模式的放电时间更短, 放电上升时间小于1nS, 尖峰电流15安培, 持续时间小于10纳秒。
静电的危害:
静电在我们的日常生活中可以说是无处不在,我们的身上和周围就带有很高的静电电压,几千伏甚至几万伏。平时可能体会不到,人走过化纤的地毯静电大约是35000伏,翻阅塑料说明书大约7000伏,对于一些敏感仪器来讲,这个电压可能会是致命的危害。
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